真空鍍膜設(shè)備主要指需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類(lèi)，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。 
       真空鍍膜的工作原理是膜體在高溫下蒸發(fā)落在工件表面結(jié)晶。由于空氣對(duì)蒸發(fā)的膜體分子會(huì)產(chǎn)生阻力造成碰撞使結(jié)晶體變得粗糙無(wú)光，所以必須在高真空下才能使結(jié)晶體細(xì)密光亮，如果真空度不高結(jié)晶體就會(huì)失去光澤結(jié)合力也很差。早期真空鍍膜是依靠蒸發(fā)體自然散射，結(jié)合差工效低光澤差�，F(xiàn)在加上中頻磁控濺射靶用磁控射靶將膜體的蒸發(fā)分子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜，解決了過(guò)去自然蒸發(fā)無(wú)法加工的膜體品種，如鍍鈦鍍鋯等等。
 
       中頻設(shè)備必須加冷卻水進(jìn)行冷卻，原因是它的頻率高電流大。電流在導(dǎo)體流動(dòng)時(shí)有一個(gè)集膚效應(yīng)，電荷會(huì)聚集在電導(dǎo)有表面積，這樣會(huì)使電導(dǎo)發(fā)熱，所以采用中孔管做導(dǎo)體中間加水冷卻。
 
       從更深層次研究電子在非均勻電磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)規(guī)律 ,探討了磁控濺射的更一般原理以及磁場(chǎng)的橫向不均勻性及對(duì)稱(chēng)性是磁約束的本質(zhì)原因。磁控濺射可以被認(rèn)為是鍍膜技術(shù)中最突出的成就之一。特點(diǎn)是濺射率高、基片溫升低、膜-基結(jié)合力好、裝置性能穩(wěn)定。